化學式GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，性能比矽更優良。它的禁帶寬度大，電子遷移率高，介電常數小，能引入深能級雜質，電子有效品質小，能帶結構特殊，具有雙能穀導帶，可以製備發光器件、半導體雷射器、微波體效應器件、太陽能電池和高速積體電路等，廣泛用於雷達、電子電腦、人造衛星、太空船等尖端技術中。
化學式GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，性能比矽更優良。它的禁帶寬度大，電子遷移率高，介電常數小，能引入深能級雜質，電子有效品質小，能帶結構特殊，具有雙能穀導帶，可以製備發光器件、半導體雷射器、微波體效應器件、太陽能電池和高速積體電路等，廣泛用於雷達、電子電腦、人造衛星、太空船等尖端技術中。