研究半導體材料的製備、分析以及半導體器件和積體電路生產工藝中特殊化學問題的物理化學分支學科。它是1948年發明電晶體以後才誕生的。
半導體材料是結構敏感的材料。其內部或表面上晶體的不完善性(如晶體缺陷、位元錯等)或微量雜質的存在都可以顯著地改變材料的物理性能。這就決定瞭半導體化學的一系列特點，如高純物質的製備、完善單晶體的制取、完善單晶層的生長、微量雜質有控制地摻入、超純物質的分析等。
50年代半導體材料以鍺為主，到瞭60年代，矽已占據瞭該類材料中的統治地位。預計這種狀況在20世紀內不會改變。因此，目前半導體化學的主要內容是以矽為中心展開的。其他研究較多並已得到應用的材料還有化合物半導體，如砷化鎵。
70年代以來，無定形半導體（玻璃半導體）的研究有瞭重要的進展，這是一類有前途的半導體材料。對於有機半導體和高聚物半導體也一直在進行探索性的研究。無疑，這些研究工作將會不斷地為半導體化學增添新的內容。
參考書目
李傢植編：《半導體化學原理》，科學出版社，北京，1980。