中國物理學傢、半導體技術專傢。生於蘇州。1941年畢業於上海同濟大學機電系。在昆明機器廠工作數年後，於1945年赴美國深造，1946年獲普渡大學工程力學碩士，後轉向量子力學，1949年獲博士學位。1950年底回國，先後任中國科學院應用物理研究所研究員，半導體研究所研究員、代所長、副所長，微電子中心名譽主任。1980年當選為中國科學院學部委員（院士）。
王守武是中國半導體科學技術的主要奠基人之一。他在中國科學院相繼籌建瞭物理研究所半導體研究室、半導體研究所、晶體管廠、半導體測試中心和微電子中心。組織領導並參與研制瞭中國第一塊鍺單晶、矽單晶、晶體管和第一臺激光器、第一塊半導體大規模集成電路，並參與瞭相關的“兩彈一星”國防任務，在半導體材料的相關理論和技術上作出瞭一系列開創性貢獻。王守武在中國科技大學、清華大學等院校兼教多年，培養瞭一批研究生和半導體技術專傢。曾任《半導體學報》主編，國務院電子計算機和大規模集成電路領導小組集成電路顧問組組長，中國科學院微電子研究所名譽所長等多種榮譽和社會職務，多次榮獲國傢科技進步獎和科研成果獎，2000年獲何梁何利基金科學與技術進步獎。