從吸收邊以上30～50電子伏特一直擴展到1000電子伏特範圍內的吸收係數振盪。英文縮寫EXAFS。

　　簡史　20世紀30年代已在實驗中發現EXAFS的存在，但直到70年代初才有瞭正確的理論解釋。E.A.斯特恩等人在這方面進行瞭開創性的工作，確認瞭EXAFS主要來自吸收原子周圍近鄰原子的貢獻，並將它發展成為研究物質結構的方法。1974年以後，同步輻射強X射線源的出現，大大推動瞭這一方方法的發展和使用。

　　原理　當X射線透過物質時，強度發生衰減，若入射X射線強度為I0，物質的線吸收系數為μ，厚度為d，則衰減後的強度I＝I0e-μd。吸收系數μ與入射 X射線的能量有關。在某些能量處，μ值會發生突變，這是由於原子內層電子被 X射線光子激發到外部連續空能級的光電吸收而引起的。吸收系數的這種突變叫做吸收邊。在吸收邊高能一側，吸收系數並不是單調變化的，而是呈現某種隨能量起伏的精細結構。吸收邊附近的部分，稱為近邊結構。

　　由於原子光電吸收的光電子波向外傳播時遇到周圍其他原子的散射，這種出射波與散射波相幹涉，在某些能量處相互增強，形成波峰，在某些能量處相互減弱，形成波谷，使光電吸收的幾率發生變化，即引起吸收系數的振蕩，這就產生瞭EXAFS。除單原子氣體之外的物質，一般都可觀測到EXAFS。

　　大部分EXAFS測量工作用同步輻射X射線進行，以取得好的信噪比和高的能量分辨率，並可測量含量很低的原子的EXAFS譜。利用高功率轉靶X射線源或附加彎晶聚焦裝置，也可測得較好的EXAFS數據。但一般說來，同步輻射EXAFS的數據質量要好得多，測量時間也短得多。

　　應用　EXAFS的產生與吸收原子及其周圍其他原子的散射有關，即都與結構有關。因而可通過測量EXAFS來研究吸收原子周圍的近鄰結構，得到原子間距、配位數、原子均方位移等參量。EXAFS方法的特點主要是可以對不同種類原子分別進行測量，給出指定元素原子的近鄰結構，也可區分近鄰原子的種類。利用強X射線源還可研究含量很少的原子的近鄰結構狀況，而且無論對於有序物質或無序物質均可進行研究。這樣，EXAFS就能用於解決一些其他方法難以或不能解決的物質結構問題，引起瞭物理、化學、生物、材料科學等學科從事物質結構研究工作的人們的重視。在生化體系、催化劑、非晶態物質、溶液體系、聚合物等結構研究方面起瞭很大的作用。用此方法測量原子間距的精度一般為0.01埃，配位數和原子均方位移的相對誤差約為10％。

　　在EXAFS原理基礎上發展起來一些相關技術，如探測俄歇電子的表面EXAFS方法，可用於研究表面原子結構；電子能量損失EXAFS譜，用於探測輕元素的原子近鄰結構。