當作用在物體表面的脈衝載荷呈緩慢載入，而且在整個測量時間內受壓物體內的壓縮波還沒有演化成具有陡峭波陣面的衝擊波的時候（見固體中的衝擊波），物質內部的受壓過程是等熵的稱等熵壓縮。
目前，有兩種產生等熵壓縮的主要方法，一種是磁場壓縮技術，另一種是斜波發生器。
磁場壓縮技術 典型裝置見圖1。它是由電容器組向線圈放電，以便在柱形空腔中產生初始強強磁場。當系統工作時，先由雷管引爆高級炸藥，用以驅動柱殼形飛片朝柱軸方向飛行。由於飛片是用良導體制成的，在飛片向柱軸飛行的過程中，腔內“拘捕”的初始磁力線不易漏失到飛片中，故腔內磁力線會隨飛片向內運動而不斷受到“壓縮”，從而增強瞭腔內磁場強度。在上述過程中，靠近飛片附近的磁力線總是首先受到壓縮，但是由於電磁場的擾動是以光速傳播，它遠遠大於飛片速度，故可以認為被壓縮磁場“瞬時地”在整個腔內達到平衡。由於壓強 p與磁感應強度B的平方成正比(p=B2/4π)，故在飛片飛行過程中所引起的磁感應強度的變化會使中心試件受到不斷增強的壓力作用而處於等熵壓縮狀態。
斜波發生器 一種能把具有陡峭陣面的沖擊波改造成彌散狀陣面的壓縮波整形器，以削弱沖擊波陣面上粘性和熱傳導損耗所導致的熵增影響，而實現等熵壓縮過程（圖2）。制成斜波發生器的材料，其物態方程大致應滿足以下條件
-2＜Г(v)＜1/3，
式中Г、v 分別為格臨愛森參數 (見固體狀態方程)和比容，某些玻璃陶瓷能滿足上述條件。實踐中，通過改變制成斜波發生器材料的厚度，可以調整壓縮波的上升時間。其值一般在幾十納秒到數百納秒的范圍內變化。