指導電能力介於金屬和絕緣體之間的固體材料，一般規定電阻率在10-3歐姆釐米和109歐姆釐米之間。按內部電子結構區分，半導體與絕緣體相似，它們所包含的價電子數恰好能填滿價帶，並由禁帶和上面的導帶隔開（見固體的能帶）；半導體和絕緣體的區別是禁帶較窄，在2～3電子伏以下。典型的半導體是以共價鍵結合為主的，以共價鍵結合合的元素晶體矽和鍺，Ⅲ族和Ⅴ族元素組成的Ⅲ-Ⅴ化合物，Ⅱ族和Ⅵ族元素組成的Ⅱ-Ⅵ化合物，構成瞭目前大部分主要的半導體材料。
半導體靠導帶中的電子或價帶中的空穴導電。靠導帶電子導電的半導體稱為N型半導體；靠價帶空穴導電的半導體稱為 P型半導體。半導體的導電性一般通過摻入雜質原子取代原來的原子來控制。摻入的雜質原子如果比原來的原子多一個價電子，如在矽或鍺中摻入Ⅴ族元素，則產生電子導電；這類雜質稱為施主。摻入的雜質原子如果比原來的原子少一個價電子，如在矽或鍺中摻入Ⅲ族元素，則產生空穴導電；這類雜質稱為受主。工業生產和科學研究中用的半導體材料，大部分是結構完整的單晶體；但是，也有少部分研究和應用采用多晶材料，如多晶薄膜等。近年來，非晶態半導體也有瞭較大的發展。
半導體的應用十分廣泛，形成瞭門類眾多的半導體技術。半導體的應用主要是制成具有特殊功能的元器件，如晶體管、集成電路、整流器和可控整流器、半導體激光器、發光二極管以及各種光電探測器件、各種微波器件、日光電池等。