美國物理學傢。生於英國倫敦，卒於美國巴羅阿爾托。1936年獲麻省理工學院博士學位。1936～1955年進入貝爾實驗室，曾任該室電晶體物理學研究主任。其間，於1942～1944年任美國海軍反潛戰運籌學組研究主任。1955～1958年加盟貝克曼儀器公司並建立瞭肖克萊半導體實驗室，1958～1960年任肖克萊電晶體公司經理，1963～1975年任斯坦福大學教授。
肖克萊專長於固體能帶理論。1945年曾預言：假如半導體片的厚度與表面空間電荷層相近，即有可能用垂直於表面的電場來調節表面層的電阻率，使平行於表面的電流受到控制。同在貝爾實驗室的J.巴丁提出瞭表面態理論；W.H.佈拉坦發現矽表面的光生電動勢。他們三人合作，於1947年底發明瞭點接觸晶體管。1950年肖克萊又成功地研制出結型晶體管。20世紀60年代因提出“人種–智能–遺傳”這一頗有爭議的論題而成為毀譽參半的人物。由於對半導體的研究和晶體管效應的發現，肖克萊、巴丁和佈拉坦同獲1956年諾貝爾物理學獎。