晶體中的線缺陷。基本的幾何構形有刃位錯和螺位錯兩種。按照晶面整體滑移的模型，晶面發生滑移的臨界切應力τc約為μ/10，μ是晶體的切變模量。實際的τc值為μ/106～μ/103，遠小於上述理論值。1934年G.I.泰勒、E.奧羅萬和M.波拉尼各自提出位錯模型以便降低τc的理論值。1940年R.E.佩爾斯、1947年F.R.N.納巴羅從位錯模型計算出的臨界應力大約為10−6μ～10−5μ，解釋瞭臨界切應力τc很低的事實。20世紀50年代高分辨率透射電子顯微鏡技術發展，能夠直接觀測到位錯的晶格結構的構型。

圖1　刃位錯與晶面滑移

　　晶面滑移實際上是通過位錯的滑移來實現的。如果晶體中有一個刃位錯，便有一個多餘半晶面HE，位錯線在E處垂直於紙面的直線。在水平方向切應力作用下，HE向右移動直至移至晶體邊緣，位錯線消失，整個晶面滑移一個平移b（圖1）。螺位錯的滑移過程與晶面滑移相似(圖2a)，不過螺位錯線運動的方向與切應力方向垂直，而晶面原子滑移總是按切應力方向進行的（圖2b、圖2c）。

圖2　螺位錯與晶體的滑移

　　晶體中有位錯後原子偏離完整晶格的位置，存在相應的彈性應力場，位錯之間，位錯與點缺陷之間的存在相互作用。這些相互作用是金屬加工硬化、合金強化以及沉淀強化的物理基礎。此外，位錯對半導體、磁性材料、超導材料的技術性能都有影響。在晶體生長過程中螺位錯起瞭重要作用，由於以螺位錯線為軸的晶面變成螺旋面，有填不完的臺階供給晶體生長擇優的位置，而使生長過程連續不斷。