光電倍增管

　　

基於外光電效應和二次電子發射效應的電子真空器件。它利用二次電子發射使逸出的光電子倍增，獲得遠高於 光電管的靈敏度，能測量微弱的光信號。光電倍增管包括陰極室和由若幹打拿極組成的二次發射倍增系統兩部分（見圖）。陰極室的結構與光陰極K的尺寸和形狀有關,它的作用是把陰極在光照照下由外光電效應（見 光電式傳感器）產生的電子聚焦在面積比光陰極小的第一打拿極 D ₁的表面上。二次發射倍增系統是最復雜的部分。打拿極主要選擇那些能在較小入射電子能量下有較高的靈敏度和二次發射系數的材料制成。常用的打拿極材料有銻化銫、氧化的銀鎂合金和氧化的銅鈹合金等。打拿極的形狀應有利於將前一級發射的電子收集到下一極。在各打拿極 D ₁、 D ₂、 D ₃…和陽極 A上依次加有逐漸增高的正電壓,而且相鄰兩極之間的電壓差應使二次發射系數大於1。這樣,光陰極發射的電子在 D ₁電場的作用下以高速射向打拿極 D ₁,產生更多的二次發射電子,於是這些電子又在 D ₂電場的作用下向D ₂飛去。如此繼續下去，每個光電子將激發成倍增加的二次發射電子，最後被陽極收集。電子倍增系統有聚焦型和非聚焦型兩類。聚焦型的打拿極把來自前一級的電子經倍增後聚焦到下一級去，兩極之間可能發生電子束軌跡的交叉。非聚焦型又分為圓環瓦片式（即鼠籠式）、直線瓦片式、拿柵式和百葉窗式。