利用照相複製與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和複雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由於缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國製成高解析度和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之後，光刻技術才迅速發展起來，並開始用在半導體工業方面。光刻是製造高級半導體器件和大型積體電路的關鍵工藝之一，並已用於刻劃光柵、線紋尺和度盤等的精密線紋。
光刻的基本原理是：利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光後因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻半導體晶片二氧化矽的主要步驟（見圖）是：①塗佈光致抗蝕劑；②套準掩模板並曝光：③用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層；④用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化矽層；⑤去除已感光的光致抗蝕劑層。
光致抗蝕劑是一種對光敏感的高分子溶液，種類很多，根據光化學反應的特點一般可分為正性和負性兩大類。凡用顯影液能把感光的部分溶解去除的稱為正性光致抗蝕劑；用顯影液能把未感光的部分溶解去除的稱為負性光致抗蝕劑。
光刻的精度很高，可達微米數量級，為使蝕刻線條清晰、邊緣陡直、分辨率小於1微米的超微細圖形，可采用遠紫外曝光、X射線曝光、電子束掃描曝光，以及等離子體幹法蝕刻等新技術。
參考書目
李傢植編：《半導體化學原理》，科學出版社，北京，1980。