反射高能電子衍射是高能電子衍射的一種工作模式。它將能量為10～50keV的單能電子掠射 (1°～3°)到晶體表面，在向前散射方向收集電子束，或將衍射束顯示於螢光屏（見圖）。
一幅反射高能衍射射圖隻能給出倒易空間（見倒易點陣）某個二維截面，從衍射點之間的距離可確定相應的晶面間距。旋轉樣品，可以在熒光屏上得到不同方位角的二維倒易截面，從而仍可獲得表面結構的全部對稱信息。
由於在晶體中電子散射截面遠大於X 射線的散射截面，加之掠射角小，從而使反射高能衍射與低能電子衍射一樣具有表面靈敏度（約10～40Å），但它不僅限於作單晶表面結構分析，也可用於多晶、孿晶、無定形表面及微粒樣品的表面結構分析。
反射高能電子衍射得到廣泛運用是與分子束外延技術發展有關。它可用於原位觀察外延膜生長情況，為改進生長條件提供依據。與低能電子的情況有所不同，高能電子束與晶體相互作用中非彈性散射較弱，其強度分析的理論還處於探索之中。
參考書目
Shozo Ino，Jαpanese Journal of Applied Physics，Vol.16，No.6，pp.891～908，1977.