霍耳效應

　　當通有電流的導體或半導體置於與電流方向垂直的磁場中時，在垂直於電流和磁場的方向，物體兩側之間會產生一橫向電場。這種現象稱為霍耳效應，1879年首先為美國E.H.霍耳對銅箔做實驗時發現。

　　當電流密度J沿x方向，磁感應強度B沿z方向，則所產生的霍耳電場E(在y方向，與J和B成正比，即E=RJB。比例系數R稱為霍耳系數。霍耳效應，是因外加磁場使漂移運動的電子或別的載流子（見半導體物理學）發生橫向偏轉而形成的。隻有一種載流子時，霍耳系數與物體中載流子濃度成反比，霍耳系數的正負號決定於載流子是正電荷還是負電荷。

　　金屬的霍耳系數一般為負值，但有些金屬如鈹、砷等的霍耳系數為正值，這與金屬的自由電子模型發生分歧，需用能帶論加以解釋。半導體的霍耳系數常常比金屬大，N型和P型半導體的霍耳系數分別為負值和正值，表明載流子分別為電子和空穴。本征半導體中，電子和空穴都對霍耳系數有影響。

　　霍耳效應被用來測定固體的導電類型，載流子濃度以及載流子的霍耳遷移率。各種利用霍耳效應的器件(稱霍耳器件)，如磁強計、安培計、瓦特計、模擬乘法器、磁羅盤等等，已得到發展和應用。