物理學傢。1912年 7月15日生於江蘇省上海縣（今上海市），1990年5月逝於美國。1932年畢業於哈爾濱工業學校，同年赴美。1934年在麻省理工學院獲碩士學位，1937年於該校獲科學博士學位。同年回國，在清華大學無線電研究究所從事研究。抗日戰爭爆發後，學校遷至昆明，成為西南聯合大學一部分。范緒筠在此期間註意到德國雜志上關於半導體接觸問題的研究。他對此問題極為重視，並且進一步作理論探討，完成兩篇頗有價值的論文《固體間電接觸的理論》和《金屬間以及金屬和半導體間的接觸》，均發表在1942年的《物理學評論》上。范緒筠在這兩篇文章裡，定性和定量地討論瞭金屬和半導體的不同特性，特別是半導體中傳導電子的密度可能會出現偏離正常值相當大的現象，對固體電子學的發展，尤其是第二次世界大戰以後的半導體廣泛應用起瞭十分重要的作用。
1947年，范緒筠乘休假期間又回到美國麻省理工學院從事研究工作。普度大學因對范緒筠1942年發表的兩篇理論文章深感興趣，遂邀請他到該校從事研究。范緒筠在普度大學做瞭兩年訪問教授以後，繼續留在那裡，1949～1951年任副教授，1951～1963年任教授，1963年起為該校物理學鄧肯教授，直到1978年退休。1957年加入美國籍。范緒筠在普度大學開始階段從事於半導體吸收限的工作，當時最引人註意的半導體是鍺和矽，范緒筠用實驗證明鍺和矽有吸收限，用光的性質來證明半導體有禁帶（見固體的能帶）。以後他還進行半導體晶體缺陷的研究，他發表瞭100多篇論文，曾多次參加半導體物理國際會議。
范緒筠是美國國傢研究委員會固體科學小組的成員，曾任美國國傢科學基金會和國傢科學院各種委員會和評審小組的成員，1969～1972年曾任國際純粹物理學與應用物理學聯合會半導體委員會的通訊會員，1959～1961年是美國物理學會固體物理行政委員會成員。