中子源

　　產生中子束流的裝置。通常情況下中子被束縛在原子核內，隻有通過核反應使原子核的激發能大於中子的結合能才能將中子釋放出來，形成中子源。按產生中子的方式，可分為放射性同位素中子源、加速器中子源和反應堆中子源三類。同位素中子源是利用放射性同位素衰變所發射的α粒子或γ射線與靶物質（如鈹等）發生核反應，產生中子。如常用的²¹⁰Po、²²⁶Ra、^238<Pu和²⁴¹Am發射的α粒子或²⁴Na、¹²⁴Sb發射的γ射線轟擊Be靶通過(α，n)或(γ，n)反應制成中子源。中子源壽命取決於放射性同位素的半衰期。這類中子源結構簡單、經濟，但強度不高。超鈾元素（如²⁵²Cf）自發裂變中子源也屬此類。加速器中子源是利用加速器出來的粒子（如質子(p)、氘(d)、氦－4(α)和重離子(HI)）或γ射線轟擊適當的靶（如氘、氚、鋰等）發生核反應（如(p,n)、(d,n)、(α，n)、(HI，xn)或(γ,n)等）產生中子的中子源。用強流高能質子轟擊重核發生散裂反應，可獲得束流極強的中子源，這是一種有前途的中子源。反應堆中子源是利用反應堆中鏈式裂變反應獲得大量中子，用專門管道引出的中子源。根據需要，分別可提供冷中子、熱中子、超熱中子。

　　描述中子源性能的主要參數為中子的強度（單位時間發射的中子數）和能譜（發射中子的能量分佈）。中子源已在工業、農業、醫學、國防和科學研究等部門得到廣泛應用，特別是散裂中子源和反應堆中子源在中子衍射和中子散射的應用有廣闊的前景。