載流子

　　半導體內導電的電子、空穴或離子。本征半導體中載流子隻能通過將電子由價帶激發到導帶來獲得。半導體的帶隙一般比熱運動的能量大得多，室溫下單靠熱運動被激發到導帶的載流子濃度很低，導致本征半導體在室溫下導電能力很低。對於N型摻雜半導體，施主雜質能嚮導帶提供電子成為載流子，即使在低溫下它的導電能力也會大大提高。對於P型摻雜半導體，受主雜質向價帶提供空穴成為載流子（見施主、受主）。另外，通過光照、電註入等其他方法也能在導帶中產生電子和在價帶中產生空穴，使載流子濃度提高高。由施主或受主產生的載流子稱為平衡載流子，它們的濃度不隨時間變化。由光照等產生的電子和空穴稱為非平衡載流子，隔瞭一定時間後電子將會從導帶躍遷回價帶，與價帶中的空穴復合，同時發射出一個光子，稱為光發射。光發射現象有許多應用，如半導體激光器、半導體發光管等，其中的非平衡載流子由電註入產生，發射光的波長由器件材料的禁帶寬度決定。非平衡的電子和空穴除瞭直接復合以外，還可通過禁帶中的深能級發射出多個聲子，躍遷至價帶與其中的空穴復合，這種過程稱為無輻射躍遷或多聲子躍遷。