吳德馨

　　中國半導體器件和積體電路專傢。河北樂亭人。1961年畢業於清華大學無線電電子工程系。1991～1997年任中國科學院微電子中心研究員、主任。1991當選為中國科學院學部委員（院士）。

　　20世紀60年代初，吳德馨在國內首先研製成功矽平面型高速開關電晶體，所提出的提高開關速度的方案被廣泛採用，並向全國推廣。60年代末期研究成功介質隔離數位積體電路和高阻抗運算放大器類比電路。70年代末研究成功MOS 4K位元動態隨機記憶體。在國國內首先將正性膠光刻和幹法刻蝕等技術用於大規模集成電路的研制，並進行瞭提高成品率的研究。首先在國內突破瞭LSI低下的局面。隨後又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶矽和差值氧化工藝，獨創瞭檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用於專用電路的制造；研制成功多種專用集成電路；研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化鎵異質結高電子遷移率晶體管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T形柵GaAs PHEMT器件。