後沉澱

　　如果往含有兩種離子M₁和M₂的溶液中加入沉澱劑P，則M₁P立即沉澱，而M₂P並不沉澱。但是，當析出的沉澱與母液一起放置時，M₂P將在M₁P表面上逐漸沉淀，且放置時間越長，M₂P析出得越多，這種現象稱後沉淀，又稱繼沉淀。後沉淀使得先沉淀的M₁P被M₂P所玷污。例如，在Mg²⁺存在下用過量草酸鹽沉淀Ca²⁺，草酸鎂並不沉淀，但在草酸鈣陳化過程中，草酸鎂就會在草酸鈣表面上析出，即玷污草酸鈣，又影響瞭分離效果。在硫化氫系統定性分析中，有時後沉淀相當嚴重。例如，在含有0.01ΜZn²⁺的鹽酸溶液中通入硫化氫至飽和，硫化鋅並不沉淀；但如果溶液中同時含有Cu²⁺，就會首先析出硫化銅沉淀。這時若立即過濾，則硫化銅沉淀中含硫化鋅甚微；但若把沉淀與母液一起放置，硫化鋅便會在硫化銅表面上析出，放置時間越長，硫化鋅析出越多，甚至絕大部分Zn²⁺與硫化銅一起沉淀出來，從而造成陽離子第三組檢出 Zn²⁺時的“丟失”。產生這種後沉淀的原因可能在於硫化銅沉淀表面具有強烈吸附S^2-的傾向，使得硫化銅與溶液界面上的S^2-大大濃集。

　　後沉淀是玷污沉淀的原因之一。後沉淀與共沉淀的主要區別是：後沉淀引入雜質的量隨沉淀在母液中放置時間的延長而增多；而共沉淀的量受放置時間影響較小。因此，在有後沉淀的體系中要嚴格控制陳化時間。在分離與富集方法中，後沉淀有時是有利的。例如，在酸性介質中，微量In³⁺可在二硫化錫沉淀之後後沉淀，延長陳化時間可使In³⁺定量地析出。