由能量為6～100電子伏的次級電子與介質作用形成的離子群團。低於100電子伏的次級電子在液體或固體中的射程很短，所產生的離子和激發分子離其母體離子很近，這樣形成的離子和激發分子與母體離子緊挨在一起而形成刺跡。每個刺跡中平均含2～3個離子對和若幹激發分子。刺跡在某處出現的頻率與射線的種類和能量有關，也與介質的密度有關，A≥1（A為質量數）的帶電粒子的徑跡中，刺跡彼此重疊、合併，形形成連續的離子圓柱體。
由能量為6～100電子伏的次級電子與介質作用形成的離子群團。低於100電子伏的次級電子在液體或固體中的射程很短，所產生的離子和激發分子離其母體離子很近，這樣形成的離子和激發分子與母體離子緊挨在一起而形成刺跡。每個刺跡中平均含2～3個離子對和若幹激發分子。刺跡在某處出現的頻率與射線的種類和能量有關，也與介質的密度有關，A≥1（A為質量數）的帶電粒子的徑跡中，刺跡彼此重疊、合併，形形成連續的離子圓柱體。